Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik In Spannungszwischenkreis-Umrichtern kommen IGBT und antiparallele Freilaufdioden als elektronische Schalt

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ViTA-LE ViTA-LE ist ein vom Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz gefördertes Forschungsvorhaben zur verbesserten Vorhersage der Lebensdauer von Leistungselektronik zur regenerativen Energi

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Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs In dieser Arbeit wird das Ladungsträgerextraktionsmodell, ein neues Simulationsmodell zur Modellierung des Abschaltens von IGBT,

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Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiCTransistoren In dieser Arbeit wird das Schaltverhalten von SiC-JFETs analysiert, wobei ein Schwerpunkt auf Reverse Recovery Verhalten der Bod

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Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern,

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IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze Im Rahmen dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplat

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Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik Rückwärts leitfähige IGBT bieten durch die Integration von IGBT und Diode in einem Chip den Vorteil, dass neben

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Ein Beitrag zum Kurzschlussverhalten hochsperrender IGBTs und Dioden In dieser Arbeit wird das Verhalten hochsperrender IGBT und Dioden bei Umrichterkurzschlüssen untersucht. Neben den bereits bekannt

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Angebotene Masterthemen Bitte informieren Sie sich bei: Prof. Dr. Henning Bombeck über angebotene Themen der Siedlungsgestaltung und ländliche Bauwerke

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